DASAR ELEKTRONIKA
FET BIASING
BAB VI
Oleh: DITYO KURNIAWAN I MADE SUTAMA I GEDE MADE SUGIRI ARNAWA
Jurusan Teknik Elektro Fakultas Teknik Universitas Udayana 2010
*BAB 6 FET BIASING
6.1 PENDAHULUAN Dalam Bab 5 kita menemukan bahwa tingkat biasing untuk konfigurasi transistor silikon dapat diperoleh dengan menggunakan persamaan karakteristik VBE? 0,7 V, IC? IB,? Dan IE ≅ IC. Hubungan antara variabel input dan output yang disediakan oleh, yang dianggap? tetap di besarnya untuk analisis yang akan dilakukan. Fakta bahwa beta adalah konstanta menetapkan hubungan linear antara IC dan IB. Mengga
↧